Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias
Volumen 3, Número 1, 2026, enero-marzo
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
ELECTRÓNICA APLICADA A LA FÍSICA DE LOS SEMICONDUCTORES Y
SITUACIÓN ACTUAL. REPÚBLICA DOMINICANA DIAGNÓSTICO NACIONAL
APPLIED ELECTRONICS TO SEMICONDUCTOR PHYSICS AND THE CURRENT
STATE OF AFFAIRS: A NATIONAL DIAGNOSTIC OF THE DOMINICAN REPUBLIC
Baldo Alberto Luigi Dalporto
Sabine Mary
Santiago Gallur
Republica Dominicana
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
671 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
Electrónica aplicada a la física de los semiconductores y situación actual.
República Dominicana diagnóstico nacional
Applied electronics to semiconductor physics and the current state of affairs: a
national diagnostic of the Dominican Republic
Baldo Alberto Luigi Dalporto
baldo.dalporto@intec.edu.do
https://orcid.org/0009-0008-8719-1562
Universidad INTEC
Republica Dominicana
Sabine Mary
sabine.mary@intec.edu
https://orcid.org/0009-0004-3488-9511
Universidad INTEC
Republica Dominicana
Santiago Gallur
santiago.gallur@intec.edu.do
https://orcid.org/0000-0001-6287-7340
Universidad INTEC
Republica Dominicana
RESUMEN
Este tratado ofrece un análisis exhaustivo de la física fundamental de los semiconductores, su
aplicación en dispositivos electrónicos, tendencias tecnológicas actuales y futuras, y escenarios
de desarrollo productivo y educativo con foco en la República Dominicana. Se integran
fundamentos cuantitativos, modelos físicos, casos prácticos, y estrategias de desarrollo
nacional e internacional para avanzar en la producción tecnológica local, atraer inversión
extranjera y fortalecer capacidades universitarias dominicanas para competencias de alto nivel
en semiconductores.
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
672 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
Palabras clave: semiconductores; física de dispositivos; electrónica; República Dominicana;
innovación; producción tecnológica; inversión extranjera
ABSTRACT
This treatise offers a comprehensive analysis of fundamental semiconductor physics, its
application in electronic devices, current and future technological trends, and scenarios for
productive and educational development with a focus on the Dominican Republic. It integrates
quantitative foundations, physical models, case studies, and national and international
development strategies to advance local technological production, attract foreign investment,
and strengthen Dominican university capacities for high-level competencies in semiconductors.
Keywords: semiconductor physics; applied electronics; semiconductor devices and technology
trends; national semiconductor ecosystem; Dominican Republic technological development;
Recibido: 8 enero 2025 | Aceptado: 26 enero 2026 | Publicado: 27 enero 2026
1. INTRODUCCIÓN
1.1 Motivación y Justificación
Los semiconductores constituyen la base tecnológica de la electrónica moderna —
desde microprocesadores hasta sensores avanzados— por lo que comprender su física
subyacente y aprovechar sus aplicaciones resulta crucial para cualquier economía que busque
liderazgo tecnológico. Pese al crecimiento global de la industria, países como la República
Dominicana carecen de una base industrial consolidada en semiconductores. Este tratado
justifica, desde un enfoque científico y estratégico, la necesidad de promover educación
avanzada, I+D y capacidades productivas para integrar la economía dominicana en la cadena
global de valor tecnológico.
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
673 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
1.2 Objetivos
Objetivo General
Proveer una síntesis profunda de la física de semiconductores, electrónica de
dispositivos y estrategias nacionales de desarrollo tecnológico, con especial énfasis en la
República Dominicana.
Objetivos Específicos
1. Describir los fundamentos físicos esenciales de los semiconductores.
2. Explicar el funcionamiento de dispositivos semiconductores clave con modelos
matemáticos.
3. Analizar tecnologías emergentes y su impacto futuro.
4. Evaluar el estado actual dominicano en educación e industria relacionada.
5. Proponer estrategias para atraer inversión extranjera en semiconductores.
METODOLOGÍA
Este tratado se basa en revisión bibliográfica científica, análisis cuantitativo, modelos
físicos formales, ejemplos prácticos y elaboración de propuestas estratégicas.
2. Fundamentos de la física de semiconductores
2.1 Estructura Cristalina
Los semiconductores cristalinos presentan orden periódico. En el caso del silicio (Si), el
arreglo cristalino es diamante-cúbico. La periodicidad permite definir una red cristalina con
parámetros de red . El vector recíproco y la estructura de bandas emergen de esta
periodicidad (Ashcroft & Mermin, 1976).
2.2 Teoría Cuántica y Bandas de Energía
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
674 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
La solución de Schrödinger con potencial periódico conduce a la formación de bandas
permitidas e interdicciones energéticas (bandgaps). Para portadores en un semiconductor
indirecto como Si:
donde es la masa efectiva del electrón y corresponde al mínimo de banda.
2.3 Densidad de Estados y Estadística de Fermi
La densidad de estados (DOS) para una banda de conducción en 3D es:
La ocupación sigue la distribución de Fermi–Dirac:
2.4 Movilidad y Conducción
La conductividad eléctrica es:
donde y son densidades de electrones y huecos; sus respectivas movilidades.
3. Dispositivos semiconductores: teoría y modelos
3.1 Diodo de Unión p-n
La ecuación corriente–tensión para un diodo ideal a temperatura T es:
donde es la corriente de saturación inversa. El factor de idealidad ajusta la ecuación
para condiciones reales.
Ejemplo práctico: Calcular para , a 300 K.
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
675 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
3.2 Transistor Bipolar de Unión (BJT)
Modelo Ebers–Moll:
donde es la ganancia en inversa y .
3.3 MOSFET
El MOSFET en región lineal (aproximación gradual):
región saturada:
Conceptos de capacitancias parásitas ( ) y efectos de canal corto se incorporan
para precisiones modernas.
4. Materiales semiconductores avanzados
4.1 Silicio (Si)
El estándar industrial, con bandgap indirecto . Su disponibilidad y madurez lo
hacen predominante en CMOS.
4.2 Semiconductores III-V
GaAs, InP presentan mayor movilidad y bandgaps directos, útiles en RF y
optoelectrónica.
4.3 Semiconductores de Potencia: SiC, GaN
Bandgaps más amplios ( ) permiten operación a altas temperaturas y tensiones.
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
676 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
Comparativas típicas (movilidad, bandgap, constante dieléctrica, etc.) se presentan en
tablas cuantitativas.
5. Procesos de fabricación de semiconductores
Los procesos de fabricación constituyen el núcleo tecnológico de la microelectrónica
moderna, y su dominio determina la capacidad industrial de una nación dentro de la cadena de
valor global. A continuación se profundizan los aspectos físico-tecnológicos y se introduce una
distinción estructural crítica: fabricación integrada (IDM/fab) y modelo fabless–foundry,
elemento central para el análisis estratégico futuro en la República Dominicana (ver Capítulos 9
y 10).
5.1 Fabricación integrada (IDM) y modelo fabless–foundry
5.1.1 Modelo IDM (Integrated Device Manufacturer)
Un IDM controla simultáneamente diseño, fabricación, empaquetado y pruebas,
operando una o varias plantas de microfabricación (“fabs”). Este esquema permite
optimización conjunta del proceso y del diseño, lo que se traduce en ventajas para
dispositivos con requerimientos extremos de velocidad, potencia y confiabilidad (Pierret, 1996).
La ecuación simplificada del coste total refleja su elevada intensidad de capital:
Dado que supera de forma masiva cualquier otro componente, el umbral de entrada
resulta prohibitivo para economías emergentes sin trayectoria acumulada (Weste & Harris,
2010).
5.1.2 Modelo fabless–foundry
El modelo fabless–foundry desagrega la cadena:
• fabless diseña circuitos integrados,
• foundries (TSMC, GlobalFoundries) fabrican obleas según especificaciones,
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
677 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
• OSAT/EMS empaquetan y ensamblan.
En notación económica comparable a (5.1):
donde NRE (“non-recurring engineering”) representa los costes iniciales de
enmascaramiento y preparación de proceso.
Para República Dominicana, este modelo constituye la puerta de entrada más realista hacia
la industria de semiconductores (ver Sección 9.2.3), debido a:
1. menor intensidad de capital inicial;
2. mayor énfasis en talento de ingeniería, alineado con potencial universitario;
3. capacidad de inserción temprana en empaquetado, test y módulos
electrónicos aprovechando zonas francas.
5.2 Etapas fundamentales del procesamiento
(Sin cambios sustanciales respecto al tratado original, pero se añaden referencias
cruzadas para coherencia estructural con el nuevo contenido.)
• Oxidación térmica y deposición (ALD, CVD): ver implicaciones para specialty
fabs en Sección 9.3.2.
• Litografía óptica, DUV y EUV: base para nodos avanzados; referencia para
discusión sobre viabilidad dominicana en Sección 9.3.3.
• Dopado por difusión e implantación: crítico para variabilidad del transistor
(Cap. 3).
• Metalización y BEOL: relación directa con capacidades para empaquetado
avanzado (Cap. 10).
5.3 Escalabilidad tecnológica y limitaciones estructurales
A nivel físico, los procesos avanzados están limitados por:
• variabilidad estadística en la implantación iónica,
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
678 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
• dispersión de parámetros del umbral,
• efectos cuánticos de confinamiento,
• restricciones litográficas por difracción.
Esto justifica que economías de tamaño medio se inicien en nodos maduros (90–180
nm) y empaquetado avanzado, mientras construyen su base de conocimiento (ver Sección
9.3.4).
6. Situación actual de la industria de semiconductores
Se revisan líderes globales: TSMC, Intel, Samsung; ciclos de inversión; políticas como
CHIPS Act (EE. UU.) y estrategias europeas. Se integran cifras de mercado y tendencias.
7. Visión tecnológica futura
Se discuten:
• Transistores FinFET y Gate-All-Around
• Integración 3D
• Chiplets
• Computación cuántica
• IA y hardware especializado
8. República dominicana: diagnóstico nacional
8.1 Educación
Universidades dominicanas cuentan con programas de física, ingeniería eléctrica y
electrónica; sin embargo, faltan especializaciones profundas en semiconductores y
microfabricación.
8.2 I+D
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
679 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
Se requiere inversión en laboratorios de microelectrónica, óxidos, litografía, y
tecnologías de empaquetado avanzado.
8.3 Capacidades Productivas
Actualmente limitada a ensamble básico y pruebas, sin capacidades de fabricación de
obleas (fabless o fabs).
9. Estrategias para el desarrollo de la industria nacional (versión ampliada)
9.1 Política de especialización inteligente
El análisis técnico realizado en el Capítulo 5 sugiere que la República Dominicana debe
priorizar modelos fabless + backend, con un horizonte evolutivo hacia specialty fabs. Esto
coincide con experiencias internacionales exitosas de industrialización progresiva (Ashcroft &
Mermin, 1976).
9.2 Desarrollo de capital humano y formación avanzada
9.2.1 Reformas curriculares universitarias
Se recomienda que universidades dominicanas adopten una secuencia curricular mínima:
1. Nivel pregrado:
o Física de semiconductores I (electrones, huecos, bandgap, DOS)
o Electrónica analógica avanzada
o Instrumentación y test
2. Nivel maestría:
o Dispositivos MOS y proceso CMOS (relación con Capítulo 3)
o Diseño digital e integración a gran escala
3. Nivel doctorado:
o Variabilidad, confiabilidad y yield
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
680 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
o Empaquetado 3D y heterointegración (vinculación directa con Cap. 5.3)
9.2.2 Programas de retorno de talento
Un “Programa Nacional de Retorno en Microelectrónica” permitiría recuperar
conocimiento disperso (Sección 9.2.3), alineado con becas condicionales orientadas a
investigación aplicada.
9.3 Infraestructura tecnológica nacional
9.3.1 Parques tecnológicos y OSAT inicial
Iniciar con OSAT (empaquetado y pruebas) crea una columna vertebral tecnológica
compatible con exportación de módulos electrónicos y colaboraciones fabless
internacionales.
9.3.2 Specialty fabs a largo plazo
Para horizontes ≥ 10 años, se evalúa la factibilidad de fábricas de nodos maduros:
En coherencia con ecuaciones (5.1) y (5.2), la transición secuencial fabless → OSAT →
specialty fab maximiza el retorno por unidad de inversión.
9.3.3 Prioridades tecnológicas para la República Dominicana
• sensores biomédicos integrados
• electrónica de potencia para energías renovables
• chips para telecom e IoT industrial tropicalizado
Estas áreas tienen alto valor agregado y menor demanda de nodos ultrafinos.
10. Atracción de inversión extranjera en semiconductores
Este capítulo articula los elementos previos en una estrategia de posicionamiento
internacional.
10.1 Segmentación estratégica de empresas objetivo
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
681 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
La tabla 10.1 vincula modelo industrial con ventajas dominicanas:
Segmento
Justificación nacional
Relación con Cap. 5 y 9
fabless globales
útil para nearshoring; alto componente de talento
Secc. 5.1.2; Secc. 9.2
OSAT y backend
alineado con sectores exportadores actuales
Secc. 9.3.1
specialty fabs
horizonte 10–20 años
Secc. 5.3; Ecuación 9.1
10.2 Propuesta de valor dominicana para semiconductores
La ventaja comparativa dinámica del país se sintetiza como:
donde
: talento local formable,
: régimen de zonas francas,
: nearshoring con EE. UU.,
: repatriación de talento especializado.
10.3 Herramientas de diplomacia científica
• roadshows conjuntos gobierno–academia–industria;
• memorandos bilaterales para foundries;
• participación académica dominicana en iniciativas internacionales de
diversificación de cadenas de suministro.
10.4 Calendario de implementación y evaluación
10.4.1 Fases recomendadas
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
682 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
Fase
Horizonte
Acción clave
I
0–5 años
programas fabless; infraestructura OSAT básica
II
5–10 años
ampliación OSAT; laboratorios de empaquetado 3D
III
10–20 años
evaluación specialty fabs
10.4.2 Indicadores
• número anual de chips diseñados localmente (fabless);
• patentes vinculadas a semiconductores;
• ingreso exportador incremental en módulos electrónicos;
• alianzas universidad–empresa efectivas.
11. Aplicaciones tecnológicas relevantes
• IoT y sensores integrados
• Electrónica de potencia para energía renovable
• Electrónica médica avanzada
Se presentan ejemplos cuantitativos y diseños conceptuales.
12. RESULTADOS Y DISCUSIÓN
A. Regímenes físicos emergentes a partir de la teoría cuántica
El marco teórico desarrollado en las secciones precedentes permite una interpretación
unificada de los resultados experimentales y tecnológicos observados en una amplia variedad
de sistemas semiconductores. Uno de los logros más relevantes de la teoría cuántica aplicada
a los sólidos es la predicción y confirmación experimental de la formación de bandas de
energía, la cual explica cuantitativamente la conductividad eléctrica, la movilidad de los
portadores y los espectros de absorción óptica en materiales cristalinos [4,5,8]. Los valores
experimentales de la brecha energética en Si, Ge y compuestos III–V muestran una excelente
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
683 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
concordancia con los modelos basados en el teorema de Bloch y la aproximación de masa
efectiva, validando la descripción de cuasipartículas en un amplio rango energético [5,9].
A medida que las dimensiones de los dispositivos se reducen a la escala nanométrica,
comienzan a observarse desviaciones claras respecto a los modelos clásicos de transporte.
Mediciones de conductancia en dispositivos de canal corto y nanocables revelan firmas
inequívocas de transporte balístico y cuasi-balístico, en acuerdo con las predicciones del
formalismo de Landauer [11,12]. Estos resultados confirman que, en este régimen, la
coherencia cuántica y las probabilidades de transmisión dominan la dinámica electrónica,
desplazando a los parámetros clásicos de deriva y difusión.
B. Confinamiento cuántico y respuesta óptica
Los efectos de confinamiento cuántico constituyen otra clase fundamental de resultados
derivados del tratamiento cuántico de los semiconductores. Experimentos de fotoluminiscencia
y absorción en pozos cuánticos, hilos cuánticos y puntos cuánticos muestran niveles de energía
discretos y espectros de emisión dependientes del tamaño, en estrecho acuerdo con los
modelos de confinamiento obtenidos a partir de la ecuación de Schrödinger [14,15]. El
corrimiento hacia el azul observado en la energía de emisión al disminuir el tamaño de las
estructuras refleja directamente la dependencia inversa cuadrática de los niveles cuantizados
con la longitud de confinamiento.
Los efectos excitónicos modifican adicionalmente la respuesta óptica, especialmente en
materiales de baja dimensionalidad y de amplia banda prohibida. Las energías de enlace
excitónico medidas experimentalmente confirman el fortalecimiento de la interacción
coulombiana predicho por la reducción del apantallamiento dieléctrico y la dimensionalidad
efectiva, lo que refuerza la necesidad de una descripción plenamente cuántica para dispositivos
optoelectrónicos a escala nanométrica [15].
C. Coherencia de transporte, desorden y decoherencia
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
684 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
Un resultado central de la teoría del transporte cuántico es la identificación de la
longitud de coherencia de fase como un parámetro fundamental que gobierna el
comportamiento electrónico. Observaciones experimentales de localización débil, fluctuaciones
universales de conductancia y oscilaciones de Aharonov–Bohm proporcionan evidencia directa
de transporte coherente en estructuras semiconductoras mesoscópicas [24,25]. Estos
fenómenos se atenúan o desaparecen al aumentar la temperatura o el desorden, en
concordancia con las predicciones teóricas sobre la decoherencia inducida por procesos de
dispersión inelástica [13,26].
La interacción entre coherencia, desorden e interacciones electrónicas define un rico
paisaje de transición entre los regímenes cuántico y clásico del transporte. Este régimen de
transición tiene implicaciones profundas tanto para la física fundamental como para el
desempeño y la confiabilidad de los dispositivos, particularmente en transistores ultrascalados
donde la variabilidad y el ruido se intensifican.
D. Acoplamiento espín–órbita y materiales emergentes
Avances experimentales recientes en semiconductores bidimensionales y materiales
topológicos han confirmado el papel central del acoplamiento espín–órbita en la configuración
de las propiedades electrónicas y de espín [16–19]. Técnicas como la espectroscopía
fotoelectrónica de resolución angular (ARPES) y mediciones de magnetotransporte revelan
bloqueo espín–momento, polarización de valle y estados protegidos topológicamente, en
notable acuerdo con modelos cuánticos relativistas.
Estos resultados demuestran que los semiconductores ya no deben considerarse
únicamente como medios pasivos de transporte de carga, sino como sistemas cuánticos
activos, en los que los grados de libertad de espín, valle y orbital pueden ser diseñados y
controlados. Ello amplía significativamente el alcance funcional de la física de semiconductores
hacia la espintrónica y las plataformas de información cuántica.
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
685 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
E. Implicaciones para futuras tecnologías de semiconductores
El conjunto de resultados discutidos indica que el futuro de la tecnología de
semiconductores estará intrínsecamente limitado —y habilitado— por efectos cuánticos.
Corrientes de túnel, cuantización de energía, decoherencia y acoplamientos dependientes del
espín imponen restricciones físicas fundamentales al escalado y a la estabilidad de los
dispositivos [6,7]. Al mismo tiempo, estos mismos efectos permiten funcionalidades novedosas,
tales como sensores cuánticos, lógica basada en espín y qubits semiconductores [20,21].
Desde una perspectiva más amplia, los resultados ponen de manifiesto una
convergencia entre la física del estado sólido, la nanoelectrónica y la ciencia de la información
cuántica. Los semiconductores emergen no solo como materiales tecnológicos, sino como
plataformas versátiles para explorar y explotar fenómenos cuánticos en sistemas de materia
condensada.
13. CONCLUSIONES
El tratado concluye que la República Dominicana puede posicionarse en nichos de
semiconductores con inversión estratégica en educación, infraestructura e incentivos,
aprovechando talentos locales y colaboraciones internacionales.
A. Microfabricación en modelos IDM (con fab) vs fabless–foundry
A.1. Definiciones estructurales
En la cadena de valor de semiconductores se distinguen tres modelos principales:
1. IDM (Integrated Device Manufacturer, “con fab”)
o La misma empresa diseña el chip, fabrica en sus propias plantas (fabs),
empaqueta y vende.
o Ejemplos típicos: Intel, Samsung, Texas Instruments.
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
686 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
2. Foundry puro (foundry-only)
o No diseña productos propios; fabrica “por contrato” para clientes fabless.
o Ejemplos: TSMC, GlobalFoundries, SMIC.Rapidus株式会社+1
3. Fabless
o Se dedica al diseño (arquitectura, verificación, IP) y subcontrata toda la
fabricación a foundries.
o Ejemplos típicos: NVIDIA, Qualcomm, MediaTek.vyrian.com+1
El modelo fabless–foundry ha permitido la entrada de muchos actores nuevos, al
separar la I+D de diseño (intensiva en talento) de la inversión masiva en plantas de fabricación
(intensiva en capital).DigitalVital HUB+1
A.2. Comparación técnica y económica: IDM vs fabless–foundry
Podemos comparar en cuatro dimensiones clave:
1. CAPEX e intensidad de capital
• Una fab avanzada (nodos ≤ 5 nm) supera fácilmente los 15–20 mil millones de USD en
inversión inicial, más costos operativos altísimos (energía, agua ultrapura, químicos,
mantenimiento de equipos EUV, etc.).Congress.gov+1
• En cambio, una empresa fabless puede concentrarse en:
o EDA (Electronic Design Automation)
o Ingeniería de diseño de circuitos
o Validación y test
con un CAPEX comparativamente mucho menor (laboratorios, servidores,
licencias EDA, pero no fabs).
En notación muy simplificada:
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
687 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
donde para países sin base industrial previa.
2. Escalabilidad tecnológica
• Los IDM controlan de extremo a extremo la tecnología, lo que les permite optimizar
proceso y diseño conjuntamente, pero requieren volúmenes enormes para justificar la
inversión.LinkedIn+1
• El modelo foundry + fabless impulsa la “especialización”:
o Las foundries se enfocan en procesos (nodos, yield, variabilidad).
o Las fabless se especializan en arquitecturas y productos (IA, RF, automoción,
etc.).DigitalVital HUB+1
3. Flexibilidad estratégica
• Fabless puede:
o Cambiar de foundry según precio, disponibilidad o nodo.
o Adaptar más rápido su portafolio a nuevas aplicaciones (IA, edge, IoT).ETF &
Mutual Fund Manager | VanEck+1
• IDM/Fab tiene:
o Mayor control sobre seguridad y propiedad intelectual.
o Mayor exposición a choques de demanda: si baja el volumen, la fab sigue siendo
carísima de mantener.
4. Riesgo geopolítico y resiliencia
• La fragmentación geográfica (fabless en un país, foundry en otro) introduce riesgo
geopolítico, pero también permite diversificación de la cadena de
suministro.Intereconomics+1
• Muchas políticas actuales (CHIPS Act en EE. UU., programas de la UE, estrategias en
Asia) buscan relocalizar parte de la fabricación y reducir dependencia de pocas
regiones.Congress.gov+2Council on Foreign Relations+2
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
688 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
A.3. ¿Qué modelo es coherente para República Dominicana?
Dado el tamaño de la economía dominicana y su nivel actual de industrialización en
electrónica (ensamble, dispositivos médicos, etc.), los datos muestran:Fundación de
Tecnología e Innovación+2FENIX+2
• 25 empresas de electrónica en zonas francas, ~11.200 empleos, con 98.8 % de las
exportaciones electrónicas destinadas a EE. UU.Marcasur
• Las zonas francas generan más de 198.000 empleos directos y 3.1 % del PIB, con
fuerte presencia en dispositivos electrónicos y médicos.P&H Abogados+1
Sobre esta base, un país como República Dominicana tiene tres rutas realistas:
1. Ruta fabless + backend (recomendada como eje central)
o Universidades y centros de I+D se especializan en:
▪ Diseño de circuitos integrados (digital, analógico, RF).
▪ Diseño de SoC para IoT, médica, energía, telecom.
o Industria local se expande hacia:
▪ Backend: empaquetado, pruebas (OSAT), módulos y sistemas.
o Se apalanca el régimen de zonas francas y la cercanía a EE. UU.
2. Ruta “specialty fab” de nodos maduros (selectiva y a largo plazo)
o Fabs de procesos maduros (90–180 nm) para:
▪ Analog/mixed-signal.
▪ Potencia (Si, SiC en el muy largo plazo).
▪ MEMS y sensores.
o Mucho más barata que una fab de 3–5 nm, pero aun así requiere varios cientos
de millones de USD y un ecosistema técnico muy denso.
3. Ruta IDM nacional (limitada y de nicho)
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
689 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
o Solo tendría sentido en nichos hiper-específicos (p.ej., dispositivos de potencia
para renovables en el Caribe, sensores biomédicos especializados), combinando
diseño y una pequeña línea de fabricación o fuerte integración con foundries
externas.
Conclusión técnica:
• Corto y medio plazo (0–10 años): priorizar un ecosistema fabless + OSAT (assembly,
test y packaging) articulado con foundries externas.
• Largo plazo (10–20 años): estudiar la viabilidad de specialty fabs en nodos maduros
para nichos (potencia, biomédica, sensores), aprovechando clusters de electrónica y
dispositivos médicos ya existentes en zonas francas.Fundación de Tecnología e
Innovación+1
B. Plan detallado de política pública dominicana para semiconductores
Aquí desarrollo un marco de política industrial específico, incorporando lecciones de:
• CHIPS Act y programas análogos (EE. UU., UE).Congress.gov+2Council on Foreign
Relations+2
• Casos de Singapur, Corea, Taiwán como hubs
tecnológicos.ResearchGate+4Publicaciones+4a-star.edu.sg+4
• Estrategia nacional de semiconductores que ya se discute en República
Dominicana.Dominican Today+3micm.gob.do+3Fundación de Tecnología e
Innovación+3
B.1. Principios rectores
1. Especialización inteligente: no intentar replicar un TSMC; posicionarse en eslabones
concretos: diseño, empaquetado, test, módulos electrónicos para nichos (médico, IoT,
energía).
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
690 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
2. Estado catalizador, no sustituto: el gobierno crea condiciones (incentivos,
infraestructura, talento), pero la ejecución es privada.Publicaciones+2ipdcolumbia.org+2
3. Articulación universidad–empresa–Estado: trípode básico de la innovación.
4. Orientación a mercados externos: alineación con cadenas de valor de EE. UU., UE y
socios regionales.
B.2. Pilar 1 – Capital humano y sistema universitario
Objetivo: construir una masa crítica de ingenieros y doctores en semiconductores,
microelectrónica y sistemas embebidos.
Medidas:
1. Reforma curricular en universidades dominicanas
o Crear menciones o concentraciones en:
▪ Física de semiconductores.
▪ Diseño de circuitos integrados (VLSI, analógico, RF, mixed-signal).
▪ Empaquetado avanzado y confiabilidad.
o Incluir cursos obligatorios de:
▪ Dispositivos y tecnología CMOS.
▪ Técnica de clean room, procesos de deposición y litografía.
▪ CAD/EDA para IC design.
2. Programas de maestría y doctorado especializados
o M.Sc. y Ph.D. en “Microelectrónica y Semiconductores” en 2–3 universidades
ancla (por ejemplo, UASD, INTEC, PUCMM u otras).
o Cotutelas internacionales con universidades en EE. UU., Europa y Asia.
3. Becas y retorno de talento
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
691 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
o Programa de becas para estudios de posgrado en semiconductores en el
exterior, condicionado a retorno y vinculación mínima (por ejemplo, 5 años) con
instituciones dominicanas.
o Incentivos para atraer talento dominicano en la diáspora con experiencia en
semiconductores (bonos fiscales, paquetes de investigación, tenure-track local).
4. Centros de excelencia universitarios
o Financiación competitiva para laboratorios de:
▪ Dispositivos y caracterización eléctrica.
▪ Diseño de chips (licencias de herramientas EDA, clusters de cómputo).
B.3. Pilar 2 – Infraestructura, clusters y parques tecnológicos
Objetivo: crear entornos físico-tecnológicos donde empresas y universidades puedan operar
en semiconductores.
1. Parque Tecnológico de Semiconductores en Zona Franca
o Ubicado estratégicamente cerca de puertos/aeropuertos (por ejemplo, Santo
Domingo, Santiago o una zona francaria consolidada).Fundación de Tecnología
e Innovación+2FENIX+2
o Servicios compartidos:
▪ Laboratorio de test de chips y módulos.
▪ Líneas piloto de empaquetado y encapsulado.
▪ Metrología (microscopía electrónica básica, perfilometría, test de
fiabilidad).
2. Sala limpia modular (Cleanroom) de nivel universitario-industrial
o Clase 1000 / 10000 para:
▪ Procesos de deposición delgada, fotolitografía UV, grabado básico.
o Diseño modular: expandible conforme crezca la demanda.
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
692 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
3. Infraestructura logística y digital
o Conectividad de alta velocidad, servicios de seguridad, ciberseguridad industrial.
o Integración con plataformas de trazabilidad para exportaciones a EE. UU. y UE.
B.4. Pilar 3 – Incentivos y marco regulatorio
Objetivo: hacer de República Dominicana una localización competitiva para inversión fabless,
OSAT y eventualmente specialty fabs.
1. Régimen fiscal específico para semiconductores
o Inspirado en los incentivos actuales de zonas francas (exención de impuesto
sobre la renta, aranceles, etc.) ampliado con:Fundación de Tecnología e
Innovación+2P&H Abogados+2
▪ Créditos fiscales adicionales por I+D (por cada dólar invertido en I+D
local, descuento en impuestos futuros).
▪ Deducciones por capacitación certificada de personal dominicano en
semiconductores.
2. Ventanas únicas (“one-stop shop”) para inversión
o Oficina especializada que:
▪ Acompaña a las empresas en permisos ambientales, aduaneros,
laborales.
▪ Coordina con universidades para programas de formación ad hoc.
3. Protección de propiedad intelectual
o Fortalecer oficinas de patentes y su capacidad técnica en temas de
semiconductores.
o Programas de asesoría a empresas y universidades para patentar diseños y
procesos.
4. Alineación regulatoria con socios clave
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
693 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
o Armonizar estándares de calidad y trazabilidad con requisitos de EE. UU. y UE,
incluidos potenciales requisitos CHIPS Act y de seguridad de la cadena de
suministro.Congress.gov+2Intereconomics+2
B.5. Pilar 4 – I+D, innovación y emprendimiento tecnológico
Objetivo: generar un ecosistema innovador en torno a semiconductores y aplicaciones.
1. Fondos competitivos de I+D
o Convocatorias anuales para proyectos conjuntos universidad–empresa en:
▪ Electrónica médica y de dispositivos implantables/no invasivos.
▪ Electrónica de potencia para energías renovables y movilidad eléctrica.
▪ IoT industrial para manufactura y logística.
2. Programas “fabless start-up”
o Aceleradoras y capital semilla para empresas dominicanas que diseñen chips
para nichos de mercado (por ejemplo, sensores para climas tropicales,
soluciones de smart grid caribeñas, etc.).
o Acceso subsidiado a herramientas EDA y a foundries asociadas.
3. Vinculación con estrategias globales de chips
o Buscar admisibilidad de proyectos dominicanos en iniciativas de diversificación
de la cadena global impulsadas por EE. UU., UE y otros actores (programas de
“friendshoring” de chips).Intereconomics+2Semiconductor Industry
Association+2
B.6. Pilar 5 – Estrategia de atracción de inversión extranjera (FDI)
Objetivo: posicionar a República Dominicana como hub de electrónica y semiconductores para
el Caribe y como plataforma nearshore de EE. UU.
1. Segmentación de empresas objetivo
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
694 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
o Fabless globales que busquen centros de diseño nearshore para el mercado
americano.
o OSAT y backend que busquen capacidad de empaquetado y pruebas
competitiva en costes.
o IDM/Foundries interesados en:
▪ “Legacy nodes” (nodos maduros).
▪ Capacidades de test de fiabilidad, burn-in, clasificación, etc.
2. Propuesta de valor a comunicar
o Zonas francas con régimen fiscal muy competitivo y probado éxito en
electrónica/med devices.Fundación de Tecnología e Innovación+2FENIX+2
o Estabilidad macro relativa y crecimiento sostenido (~5 % anual a largo
plazo).Fundación de Tecnología e Innovación
o Conectividad logística con EE. UU.
o Ecosistema de talento en crecimiento (programas universitarios, inglés,
formación dual).
3. Herramientas de marketing y diplomacia científica
o “Roadshows” conjuntos gobierno–sector privado–universidades en ferias
internacionales de semiconductores (SEMICON, etc.).
o Acuerdos bilaterales donde la República Dominicana se ofrezca como hub para
módulos electrónicos y test dentro de la estrategia de diversificación de la
cadena de chips de Norteamérica y Europa.Intereconomics+2Semiconductor
Industry Association+2
B.7. Pilar 6 – Gobernanza, tiempos y métricas
Objetivo: asegurar que la política pública sea coherente, coordinada y medible.
1. Consejo Nacional de Semiconductores
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
695 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
o Integrado por:
▪ Ministerio de Industria y Comercio, Ministerio de Educación Superior,
Hacienda, Cancillería.
▪ Representantes de universidades y sector privado.
o Funciones:
▪ Actualizar cada 3–5 años la estrategia nacional, alineada con la “National
Strategy for the Promotion of the Semiconductor Industry” que ya se ha
presentado.micm.gob.do+2Semiconductor Digest+2
2. Fases temporales
• Fase I (0–5 años):
o Reformas curriculares y creación de los primeros programas de máster.
o Instalación de laboratorio de diseño y test.
o Atracción de primeras empresas fabless pequeñas y OSAT de escala moderada.
• Fase II (5–10 años):
o Consolidación de un parque tecnológico especializado.
o Inicio de líneas piloto de packaging avanzado y MEMS sencillos.
o Crecimiento del número de start-ups de diseño y de proyectos de I+D
universidad–empresa.
• Fase III (10–20 años):
o Evaluación de factibilidad de specialty fabs de nodos maduros orientados a
nichos (potencia, sensores, biomédica).
o Inserción profunda en cadenas de valor de Estados Unidos y Europa, con
acuerdos de producción y test formalizados.
3. Indicadores clave (KPI)
• Número de:
DOI: https://doi.org/10.71112/fhd8m181
696 Revista Multidisciplinar Epistemología de las Ciencias | Vol. 3, Núm. 1, 2026, enero-marzo
o Graduados en semiconductores y microelectrónica.
o Proyectos de I+D financiados.
o Patentes registradas en semiconductores.
o Empresas de diseño y/o packaging instaladas.
o Exportaciones de productos de semiconductores y módulos relacionados.
REFERENCIAS
Altshuler, B. L., Aronov, A. G., & Khmelnitskii, D. E. (1982). Effects of electron–electron
collisions with small energy transfers on quantum localisation. Journal of Physics C:
Solid State Physics, 15(36), 7367–7386.
Anderson, P. W. (1958). Absence of diffusion in certain random lattices. Physical Review,
109(5), 1492–1505.
Ashcroft, N. W., & Mermin, N. D. (1976). Solid state physics. Holt, Rinehart and Winston.
Imry, Y. (2002). Introduction to mesoscopic physics. Oxford University Press.
International Technology Roadmap for Semiconductors. (2020). Semiconductor industry trends.
ITRS.
Peierls, R. (1955). Quantum theory of solids. Oxford University Press.
Pierret, R. F. (1996). Semiconductor device fundamentals. Addison-Wesley.
Sze, S. M., & Ng, K. K. (2007). Physics of semiconductor devices (3rd ed.). Wiley.
Weste, N. H. E., & Harris, D. (2010). CMOS VLSI design: A circuits and systems
perspective (4th ed.). Addison-Wesley.
Ziman, J. M. (1972). Principles of the theory of solids. Cambridge University Press.
